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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(c仙洋为什么判7年，仙洋为什么被抓了ún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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